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주성, 신개념 저압 화학 기상 증착장치(LP CVD) 개발
2006-06-19 / 조회수 491
주성엔지니어링, 신개념 저압 화학 기상 증착장치(LP CVD) 개발
주성엔지니어링이 공간분할 증착장치에 이어 새로운 저압식 증착장치를 출시하며 반도체 부문 강화에 본격 나선다. 반도체 전공정 장치 및 디스플레이 장치 전문업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)은 생산성과 호환성이 높은 신개념 저압 화학 기상 증착장치(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)를 개발했다고 19일 밝혔다.
저압 화학 기상 증착장치는 반도체 소자의 주요모듈인 트랜지스터, 캐패시터, 배선 및 절연층 등의 형성에 필요한 증착장치로, 반도체 소자의 고집적화에 따른 고성능화와 미세가공 기술이 발달함에 따라 온도를 낮추면서 우수한 박막특성을 갖고, 높은생산성을 보유한 장비의 요구가 커지고 있다.
주성은 이러한 시장 요구에 부응하고자 지난 3년간 약 320억원의 개발비를 투자하여 고성능 및 고생산성을 갖춘 새로운 개념의 세미배치(semi batch) LPCVD 장치를 개발하였다. 이번에 개발한 주성의 LPCVD장치는 매엽식 장치의 유연성과 기존의 Furnace 대비 3~4배 이상의 높은 생산성을 모두 보유하고 있으며, 특히 다품종 반도체 소자생산에 필요한 생산의 유연성을 제공하는 특징을 가지고 있다. 뿐만 아니라, 공정을 최적화 하기 위한 압력, 온도, 기체 유량등의 제어가 자유롭기 때문에 고객의 다양한 요구에 대하여 우수한 품질의 박막을 형성할 수 있으며, 주성 고유의 기술로 고안된 회전가스 주입구를 사용함으로써 균일한 박막을 형성하기에 유리하다고 회사측은 설명했다.
또 주성 고유의 아이디어에 근거한 장치의 설계는 일반적으로 장비의 유지 관리를 위한 작업 공간으로 사용되는 측면 공간의 필요성을 없앰으로써 값비싼 반도체 생산라인 공간의 활용을 극대화하였다.
주성의 LPCVD장치는 반도체 소자 공정에서 가장 많이 사용되는 실리콘 질화막 (SiN), 실리콘 산화막 (SiO2), 다결정실리콘 박막(Poly-Si) 그리고 어닐링 등을 하나의 시스템에서 생산이 가능한 특징을 가지고 있어, 사용자에게 다양한 솔루션을 제공할 수 있다.
주성 황철주 사장은 “이번 LPCVD 개발로 주성이 반도체 전공정 증착장치 제품군의 60% 이상을 확보하며 다양한 제품군을 보유하게 되어 종합 반도체 장치회사로의 변신과 함께 반도체 장치사업부문에서 주성의 세계 시장 점유율 향상으로 이어질 것으로 기대한다”고 밝혔다.주성은 LPCVD가 본격적인 양산체제를 갖추게 되는 2007년에는 현재 1조 이상의 시장이 형성되어있는 기존 Furnace시장을 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있다.